n型有机半导体材料 PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

本产品为n型有机半导体材料，其具有优异的大气稳定性和电子迁移速度。

n型有机半导体材料PhC_n-BQQDI，无论采用真空沉积法，还是涂布法，均可形成再现性良好的成膜，但C₂体（n=2）适合涂布法，而C₃体（n=3）适合气相沉积法。

	PhC2-BQQDI	PhC3-BQQDI
名称	benzo[de]isoquinolino[1,8-gh]quinoline diimide（BQQDI） 在骨架的亚胺基的氮原子上连有苯乙基（-C2H4Ph）。	benzo[de]isoquinolino[1,8-gh]quinoline diimide（BQQDI）在骨架的亚胺基团的氮原子上连有苯丙基（-C3H6Ph）。
结构式
实物图
包装	氩气填充
外观	红色~红棕色，结晶性粉末~粉末

可用于气相沉积法和涂布法的高性能n型有机半导体材料。

· 涂布结晶形成的单晶在大气中的电子迁移速度为3 cm²/Vs

· 真空蒸镀膜在大气中的电子迁移速度超过0.6 cm²/Vs

· 可在大气中长期保持稳定，不受器件结构的影响

· 单晶有机薄膜晶体管（OFET）可维持半年以上，蒸镀法OFET可维持一个月以上

· 迁移性降低率小于10%

· 在单晶OFET中，选择任意基板，都具有超过150°C的高耐热应力

· 良好的偏压应力

● 通过循环伏安法（Cyclic Voltammetry，简称CV），估计LUMO为−4.11 eV（4-Hep-BQQDI具有优异的溶解性）

● 通过热重-差热分析法（Thermogravimetry−Differential Thermal Analysis，简称TG−DTA），在421 °C下未观察到分解或相变的热异常

● 大气储存下采用气相沉积法形成的100 nm薄膜在1个月内的紫外-可见光（UV-Vis）光谱无变化。

呈砖砌型团聚体结构，能够观察到相邻BQQDI骨架之间的多分子相互作用，并可实现二维电荷传输。

元件结构	大气下的输出特性

（a）OTFT结构图

（b）PhC₂-BQQDI和（c）PhC₃-BQQDI在饱和区随基板温度变化的传输特性（漏极电压：50 V）

 蓝线：室温、绿线：100°C、红线：180°C

（d）PhC₂-BQQDI及（e）PhC₃-BQQDI的迁移速度在大气中的经时变化

化合物	基板温度	平均（最大）迁移速度 （cm2 V-1S-1）†	平均阈值电压 （V）†	接触电阻 （kΩ cm）‡
PhC2-BQQDI	室温	0.29（0.30）	4.6	4.8±0.6
	100°C	0.54（0.54）	3.3	5.8±0.5
	180°C	0.64（0.65）	3.5	4.7±0.4
PhC3-BQQDI	室温	0.32（0.33）	3.2	1.7±0.3
	100°C	0.51（0.53）	1.4	4.3±0.6
	180°C	0.65（0.70）	2.5	3.2±0.5

†：在饱和区（漏极电压=50 V）时评估

‡：栅极电压=50 V时的估算值

※ 本页面产品仅供研究用，研究以外不可使用。

产品编号	产品名称	产品规格
165-28601	PhC2-BQQDI	100 mg
166-28871	PhC3-BQQDI	100 mg